外部資金実績

科研費

  • 基盤研究(B)、2024〜2026年度
    「シビアアクシデント回避に向けた二次元材料を活用した燃料被覆管の腐食抑制の研究」
    代表:吉越章隆
  • 基盤研究(B)、2023〜2026年度
    「層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用」
    代表:山田貴壽
  • 基盤研究(C)、2023〜2025年度
    「材料歪み制御によるメカノケミカル効果の触媒応用」
    代表:小川修一
  • 基盤研究(B)、2020〜2022年度
    「カリウム修飾積層グラフェンの物性解明と二次元層状物質用ウエハへの応用」
    代表:山田貴壽
  • 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化)、2018〜2023年度
    「酸化膜で囲まれたシリセン -電気特性評価による高品質化とトランジスタへの応用」
    代表:小川修一
  • 若手研究(A)、2016〜2018年
    「酸化膜で囲まれたシリセン -酸化反応自己停止と酸化誘起歪みを用いた作製法の開発」
    代表:小川修一
  • 挑戦的萌芽研究、2016〜2017年度
    「ダイヤモンド表面を原子レベルに平坦化するイオンアシスト表面拡散研磨法の開発」
    代表:小川修一
  • 新学術領域研究(研究領域提案型)、2016年〜2017年度
    「原子層スタック型電界放射電子放出デバイス ―放出機構解明と放出量増加への挑戦」
    代表:小川修一
  • 若手研究(B)、2013〜2014年度
    「ダメージレス・低コストな転写を目指す金属触媒酸化を介したグラフェン剥離プロセス」
    代表:小川修一

財団助成金

  • 公益財団法人板硝子材料工学助成会 第46回研究助成、2024〜2026年度
    「消エネルギーと演算性能が両立した集積回路層間絶縁膜用DLC成膜手法の開発」
    代表:小川修一
  • 公益財団法人池谷科学技術振興財団 単年度研究助成、2023年度
    「SiCパワーMOSFETの高効率化に向けたゲート絶縁膜形成プロセスの検証」
    代表:小川修一
  • 公益財団法人前川報恩会 2021年度学術研究助成、2021〜2022年度
    「歪み誘起メカノケミカル効果を利用した高効率水素燃料製造の実験的検証」
    代表:小川修一
  • 公益財団法人池谷科学技術振興財団 単年度研究助成、2016年度
    「ダイヤモンド表面を平坦化/活性化するイオンアシスト表面拡散研磨法の開発と実証」
    代表:小川修一
  • 公益財団法人倉田記念日立科学技術財団 倉田奨励金、2014〜2015年度
    「酸化反応自己停止現象を用いたシリセン・イン・オキサド構造形成プロセスの開発」
    代表:小川修一
  • 公益財団法人マツダ財団 マツダ研究助成、2011〜2012年度
    「黒鉛の光核反応を用いた高品質ホウ素ドープグラフェン作製プロセスの研究」
    代表:小川修一